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供应克隆芯片(抄芯片)设计流程

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    克隆芯片(抄芯片)设计流程

◆ 腐蚀 

-塑料封装外壳的腐蚀,可看到*一层金属层

     一般采用98%的硫酸加热蒸煮 

-金属铝层的腐蚀,可看到多晶和有源区

     采用热磷酸 

-有多层金属时,去除一层金属后需要用氢氟酸去二氧化硅 

-去多晶硅,染色看显现 P阱和N阱

-其它细节处理,纵向结构解剖(SEM扫描电镜/TEM透射电镜或掺杂浓度曲线测试,一般需要IC解剖不作,都是标准工艺,分立器件一般需要做)

◆ 照相拼图

-每腐蚀一层,分区域照相

-每一层金属拼合图,每一层多晶拼合图,有源区拼合图

-把拼合图处理成软件可识别的图像文件

◆ 提取、整理电路

-数字电路需要归并同类图形,例如与非门、或非门、触发器等,同样的图形不要分析多次 

-提出的电路用电路绘制软件绘出,按照易于理解的电路布置,使其他人员也能看出你提取电路的功能

-提取电路的速度完全由提图人员经验水平确定 

-各组件连接起来,如果不整理电路是看不出各模块的连接及功能的

◆ 分析电路

-提取出的电路整理成电路图,并输入几何参数(MOS为宽长比) 

-通过你的分析,电路功能明确,电路连接无误 

◆ 仿真验证,电路调整

-对电路进行功能仿真验证

-模拟电路一般采用Hspice、Cadence等工具,小规模数字电路采用Cadence,Hsim等工具

-根据新的工艺调整电路

-调整后进行验证 

◆ 版图绘制验证及后仿真

-根据新的工艺文件绘制版图

-版图DRC、LVS,寄生参数提取(Dracula,Assura,Calibre等工具)

-提取的网表作仿真验证,并与前仿结果对比

-版图导出GDS文件,Tape out



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